人民网北京11月16日电 第十三届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA 2016）于11月15日在北京国际会议中心开幕，其中，“材料与装备技术”分会是本届论坛的固定分会组成之一。记者了解，今年“材料与装备技术”分会依旧兼顾前沿大势与实用技术的搭配。中科院半导体研究所研究员、中科院半导体照明研发中心副主任、国家半导体照明工程研发及产业联盟副秘书长王军喜担任分会中方主席，分会外方主席则由佐治亚理工大学电气和计算机工程学院的教授Russell Dupuis担任。
此外，分会报告嘉宾阵容也十分强大——特邀中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、北京大学、北京北方华创微电子装备有限公司、美国新泽西理工学院、荷兰飞利浦、德国爱思强股份有限公司、美国维易科(Veeco)精密仪器有限公司、中微半导体、北京康美特科技有限公司等国内外大学、研究机构、知名设备及材料商嘉宾做演讲报告。
会上，德国爱思强股份有限公司应用工程CCS高级部门经理Adam R Boyd介绍了使用Aixtron AIX R6 MOCVD设备大规模生产InGaN基蓝光LED主题报告。来自另一设备巨头美国维易科的市场营销总监Mark Mckee则在报告中介绍了通过高性能As/P MOCVD和离子束溅射技术加快光子发展情况，他表示，随着人们对数据通信、传感、红外照明和光纤泵浦的需求增多，光子器件如VCSEL激光器、EE激光器等将越来越受欢迎。“未来五年现有和新增应用将呈现两位数增长，MOCVD技术和设备满足了光子制造商对生产设备的需求，这是器件制造迈出的关键一步，MOCVD技术的性能要求和技术创新满足了客户日益增长的需求，这些创新必然推动高收益和生产力，降低制造成本和增强设备制造商的盈利能力。”Mark Mckee表示。
近年来，中国国产设备商也逐渐崛起，并形成一定的竞争优势。国产设备厂商中微半导体高级工艺工程师李洪伟、北方微电子公司PVD装备事业部总经理丁培军均在会上分享了自身核心技术及设备研究进展。
据悉，材料与装备是半导体照明的重要基础，更是产业发展壮大的“幕后英雄”，因此，材料与装备性能的提升一直是业内人士非常关注的话题。随着半导体照明进入新的发展阶段，进一步提高LED的发光效率和降低LED的制备成本则显得尤为重要。在外延方法、能量转换效率、热能管理、生产设备和工艺过程控制方面，LED仍有很大提升空间。